胡晓东 - 教授
教授, 博士生导师
1978.2 - 1982.1 北京大学物理系,获学士学位
1989.8 获清华大学硕士学位
1992.12 获得电子科技大学物理学与光电子学博士学位
1993.1 - 1995.7 清华大学博士后流动站
1995.8 - 2005.8 北京大学物理系副教授
1998.7 - 2000.7 美国德克萨斯大学奥斯丁分校,Research Fellow
2000.7 - 2001.4 美国堪萨斯州立大学 Associate Researcher
目前承担的科研项目
InGaN 调制量子阱结构和性质,国家自然科学基金项目
III 族氮化物的异质外延生长, 国家自然科学基金项目
氮化镓基蓝光激光器,北京市科技计划项目
近期发表部分论文及讲演:
Wei Yang, Yongfa He, Lei Liu, and Xiaodong Hu, Practicable alleviation of efficiency droop effect using surface plasmon coupling in GaN-based light emitting diodes, Applied Physics Letters, 102, 241111 (2013)
Lei Li, Ding Li, Qiyuan Wei, Weihua Chen, Zhijian Yang, Jiejun Wu, Guoyi Zhang, and Xiaodong Hu*, Inclined Dislocation Generation in Compressive-Strain-Enhanced Mg-Doped GaN/Al0:15Ga0:85N Superlattice with AlN Interlayer, Applied Physics Express, 6 (2013) 061002
Cimang Lu, Lei Wang, Jianing Lu, Rui Li, Lei Liu, Ding Li, Ningyang Liu, Lei Li, Wenyu Cao, Wei Yang, Weihua Chen, Weimin Du, Ching-Ting Lee, Xiaodong Hu*, Investigation of the electroluminescence spectrum shift of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes under direct and pulsed currents, Journal of Applied Physics, 113, 013102 (2013)